Модули памяти

Варианты выбора: (сначала)

Производитель

Kingston +1903
Transcend +1480
OCZ +556
Geil +878
G.SKILL +351
Mushkin +298
Crucial +312
Patriot +489
A-Data +237
Corsair +415
Apacer +90
HP +303
другой +2663

Низкопрофильная (Low Profile)

нет 135
да 18

Буферизованная (Registered)

нет 93
да 60

Форм-фактор

DIMM 153
SODIMM 36
FB-DIMM 6

Тип памяти

DDR3 33
DDR2 58
SDRAM 17
DDR 45

Поддержка ECC

есть 79
нет 74

Объем

до 1 Гб 66
от 1 до 2 Гб до более 37
от 2 Гб и более 50

Тактовая частота

до 1000 МГц 120
от 1000 до 1500 МГц 23
1500 МГц и более 10

Пропускная способность

до 5000 Мб/с 111
от 5000 до 10000 Мб/с 28
от 10000 до 15000 Мб/с 14

CAS Latency (CL)

до 5 115
5 и более 38

Row Precharge Delay (tRP)

до 5 117
5 и более 36

RAS to CAS Delay (tRCD)

до 5 117
5 и более 36

Activate to Precharge Delay (tRAS)

до 5 153

Напряжение питания

до 2 В 138
2 В и более 15

Радиатор

есть 6

Количество ранков

1 13
2 10

Ваш выбор: Samsung(убрать все)

товаров: 153

Samsung DDR2 800 SO-DIMM 2Gb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): нет; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тип памяти: DDR2; Поддержка ECC: нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с
нет в продаже

Samsung DDR3 1333 DIMM 2Gb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): нет; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тип памяти: DDR3; Поддержка ECC: нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с
нет в продаже

Samsung DDR2 800 DIMM 2Gb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): нет; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тип памяти: DDR2; Поддержка ECC: нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с
нет в продаже

Samsung DDR2 800 DIMM 1Gb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): нет; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тип памяти: DDR2; Поддержка ECC: нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с
нет в продаже

Samsung DDR2 667 SO-DIMM 1Gb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): нет; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тип памяти: DDR2; Поддержка ECC: нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с
нет в продаже

Samsung DDR2 800 SO-DIMM 1Gb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): нет; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тип памяти: DDR2; Поддержка ECC: нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с
нет в продаже

Samsung DDR 400 DIMM 512Mb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): нет; Форм-фактор: DIMM; Тип памяти: DDR; Поддержка ECC: нет; Объем: 1 модуль 512 Мб; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с
нет в продаже

Samsung DDR 400 DIMM 1Gb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): нет; Форм-фактор: DIMM; Тип памяти: DDR; Поддержка ECC: нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с
нет в продаже

Samsung DDR2 667 Registered ECC DIMM 2Gb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): да; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тип памяти: DDR2; Поддержка ECC: есть; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с
нет в продаже

Samsung DDR3 1333 DIMM 1Gb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): нет; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тип памяти: DDR3; Поддержка ECC: нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с
нет в продаже

Samsung DDR3 1333 SO-DIMM 2Gb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): нет; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тип памяти: DDR3; Поддержка ECC: нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц
нет в продаже

Samsung DDR3 1333 Registered ECC DIMM 2Gb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): да; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тип памяти: DDR3; Поддержка ECC: есть; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц
нет в продаже

Samsung DDR2 667 FB-DIMM 2Gb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): да; Форм-фактор: FB-DIMM 240-контактный; Тип памяти: DDR2; Поддержка ECC: есть; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с
нет в продаже

Samsung DDR2 667 SO-DIMM 512Mb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): нет; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тип памяти: DDR2; Поддержка ECC: нет; Объем: 1 модуль 512 Мб; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с
нет в продаже

Samsung DDR2 667 FB-DIMM 4Gb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): да; Форм-фактор: FB-DIMM 240-контактный; Тип памяти: DDR2; Поддержка ECC: есть; Объем: 1 модуль 4 Гб; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с
нет в продаже

Samsung DDR3 1066 DIMM 2Gb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): нет; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тип памяти: DDR3; Поддержка ECC: нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 1066 МГц; Пропускная способность: 8500 Мб/с
нет в продаже

Samsung DDR3 1333 Registered ECC DIMM 4Gb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): да; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тип памяти: DDR3; Поддержка ECC: есть; Объем: 1 модуль 4 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц
нет в продаже

Samsung DDR3 1333 DIMM 4Gb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): нет; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тип памяти: DDR3; Поддержка ECC: нет; Объем: 1 модуль 4 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц
нет в продаже

Samsung DDR3 1066 SO-DIMM 1Gb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): нет; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тип памяти: DDR3; Поддержка ECC: нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тактовая частота: 1066 МГц
нет в продаже

Samsung DDR2 667 DIMM 4Gb

●●●●●
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Буферизованная (Registered): нет; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тип памяти: DDR2; Поддержка ECC: нет; Объем: 1 модуль 4 Гб; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с
нет в продаже